岗位与去向
碳化硅岗集中在衬底/外延材料厂与器件 IDM：物理气相传输（PVT）长晶、外延生长、切磨抛加工与器件工艺序列常年校招，8 英寸产线扩建与车规上量带来增量。
面试高频
- PVT 法长碳化硅晶体的核心控制参数是什么？
- 微管、位错这些缺陷对器件有什么影响？
- 碳化硅为什么难加工？切磨抛各解决什么问题？
- 外延层掺杂浓度均匀性怎么保证？
- SiC MOSFET 的栅氧可靠性为什么是难点？
答题要点
- 长晶题按温场设计、压力气氛与籽晶质量三要素作答。
- 缺陷题写清缺陷类型、表征手段与向器件的传递路径。
- 加工题按材料硬度脆性、金刚石线切与 CMP 原理展开。
准备清单
- 复习晶体生长与半导体材料核心章节。
- 了解 6 英寸到 8 英寸升级的工艺挑战。
- 准备一段实践经历：晶体课题、材料表征项目或产线实习都可展开。